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CRAM夢幻磁介質存儲器


HK-CRAM系列夢幻磁介質存儲器是一場非易失性存儲器的革命,是對于非易失存儲器依賴于電池的突破,是對于FLASH存儲器讀寫次數限制及頁面編程擦寫模式限制的突破。其即保持了并口的單字節無限次數讀寫及對SRAM、FLASH、NVRAM等直接替代的方便性,又摒棄了保持數據對電池的依賴,同時克服了FLASH及EPROM編程及擦寫的復雜性,是一款無語倫比的集可靠、方便、環保、高速、經濟于一身的革命性存儲介質。

工作原理     
 HONG KONG  CRAM存儲器內部結構由一個晶體管加一個MTJ (磁性隧道結存儲單元)構成。MTJ內部有三個層面,如圖 1.1所示,最上面的層為自由層,中間的是隧道結,下面的是固定層。自由層的磁場極化方向是可以改變的,而固定層的磁場方向固定不變。當自由層與固定層的磁場方向平行時,存儲單元呈現低電阻;當磁場方向相反時,呈現高電阻。MRAM通過檢測存儲單元電阻的高低,來判斷所存儲的數據是 0 還是 1。此一磁阻效應可使CRAM不需改變內存狀態,便能快速讀取數據.

圖 1.1 CRAM 存儲單元的結構

圖 1.2更加清楚地展示了CRAM存儲單元的結構和讀寫方法。圖中下方左側是一個晶體管,當它導通時,電流可流過存儲單元MTJ(磁性隧道結),通過與參考值進行比較,判斷存儲單元阻值的高低,從而讀出所存儲的數據。當晶體管關斷時,電流可流過編程線 1 和編程線 2,在它們所產生的編程磁場的共同作用下,使自由層的磁場方向發生改變,從而完成編程的操作。
圖1.2 CRAM的存儲單元結構即讀 / 與模式

CRAM特性 
z  CRAM 讀取/寫入周期時間:35ns; 
z  真正無限次擦除使用; 
z  業內最長的壽命和數據保存時間——超過 20 年的非揮發特性; 
z  單芯片最高容量為 64Mb; 
z  快速、簡單接口——16位或 8 位并行 SRAM、40MHz 高速串行 SPI接口; 
z  具有成本效益——簡單到只有一個晶體管、一個磁性穿隧結(1T-1MTJ)位單元; 
z  最佳等級的軟錯誤率——遠比其它內存優異; 
z  可取代多種存儲器——集閃存、SRAM、EEPROM、nvRAM、以及 BBSRAM 的功能于一身; 
z  具備商業級、工業級、擴展級和汽車級的可選溫度范圍; 
z  符合 RoHS規范:無電池、無鉛; 
z  小封裝:TSOP、VGA、DFN、DIP;
z  提供3.3V和5V兩種工作環境 

CRAM型號

容量

對應SRAM

對應FLASH

對應NVRAM

CRAM1245-5

128K×8

628128

29F010

HK1245

CRAM1255-5

512K×8

628512

29F040

HK1255

CRAM1265-5

256K×8

628256

——

HK1265

CRAM1275-7

1M×8

6281000

29F080

HK1275

CRAM1285-5

2M×8

6282000

49BV1630

HK1285

CRAM1295-5

8M×8

6288000

NANDFLASH

HK1295

CRAM12A5-5

4M×8

6284000

——

HK12A5



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